TSM033NB04LCR RLG
Tootja Toote Number:

TSM033NB04LCR RLG

Product Overview

Tootja:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Osanumber:

TSM033NB04LCR RLG-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 40 V 21A (Ta), 121A (Tc) 3.1W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)

Inventuur:

5000 tk Uus Originaal Laos
12894475
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

TSM033NB04LCR RLG Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Taiwan Semiconductor
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
40 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
21A (Ta), 121A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
3.3mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
79 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4456 pF @ 20 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.1W (Ta), 107W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-PDFN (5.2x5.75)
Pakett / ümbris
8-PowerLDFN
Põhitoote number
TSM033

Tehnilised andmed ja dokumendid

Lisainfo

Muud nimed
TSM033NB04LCRRLGCT
TSM033NB04LCRRLGDKR
TSM033NB04LCRRLGTR
Standardpakett
2,500

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
taiwan-semiconductor

TSM120NA03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN

diodes

DMP2075UVT-7

MOSFET P-CH 20V 3.8A TSOT26 T&R

taiwan-semiconductor

TSM60N380CH C5G

MOSFET N-CH 600V 11A TO251

taiwan-semiconductor

TSM60N900CI C0G

MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220AB